NXP USA Inc. BFG10,215
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BFG10,215
1786-BFG10,215
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-253-4, TO-253AA
大陆
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RF Bipolar Transistors Single NPN 8V 250mA 400mW 25
--最小包装量--
BFG10,215详情
NXP USA Inc. BFG10,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-253-4, TO-253AA
Current-Collector (Ic) (Max)
250mA
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
Reach合规守则
unknown
基本部件号
BFG10
引脚数量
4
功率 - 最大
400mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 50mA 5V
增益
7dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
8V
频率转换
1.9GHz
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BFG10,215拓展信息
NXP USA Inc.
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