NXP USA Inc. BFG21W,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-82A, SOT-343

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BFG21

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

EMITTER

功率 - 最大

600mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 200mA 2V

电压 - 集射极击穿（最大值）

4.5V

转换频率

18000MHz

频率转换

18GHz

最大耗散功率(Abs)

0.67W

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

3pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant