NXP USA Inc. BFR93A

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

6000 MHz

Manufacturer Part Number

BFR93A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.54

Part Package Code

SOT-23

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

300 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

频率

6 GHz

引脚数量

3

参考标准

CECC

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

电压

12 V

元素配置

Single

电流

35 A

功率耗散

300 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12 V

最大集电极电流

35 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

最高频率

6 GHz

转换频率

6 GHz

集电极基极电压(VCBO)

15 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

2 V

集电极电流-最大值(IC)

0.035 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

12 V

最高频段

L带

环境耗散-最大值

0.3 W

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

长度

3 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无