NXP USA Inc. BFT93W,115
- 收藏
- 对比
BFT93W,115
1786-BFT93W,115
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
SC-70, SOT-323
大陆
立即发货

RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -12V, 4GHZ, 3-SOT-323
1最小包装量--
BFT93W,115详情
NXP USA Inc. BFT93W,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
50mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1995
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFT93
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
300mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 30mA 5V
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
转换频率
4000MHz
频率转换
4GHz
最大耗散功率(Abs)
0.3W
最高频段
L B
噪音数字(分贝类型@ f)
2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
环境耗散-最大值
0.3W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BFT93W,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.









哦! 它是空的。