NXP USA Inc. BSR40,115
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BSR40,115
1786-BSR40,115
分立半导体产品
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Power
1最小包装量--
BSR40,115详情
NXP USA Inc. BSR40,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BSR40,115
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.23
Part Package Code
SOT-89
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
1.35 W
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
1 A
JEDEC-95代码
TO-243AA
集电极基极电压(VCBO)
70 V
最大耗散功率(Abs)
1.35 W
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
60 V
BSR40,115拓展信息







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