NXP USA Inc. BUJD203A,127

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

425 V

hFEMin

10

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Moisture Sensitivity Levels

1

Manufacturer Package Code

SOT78

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUJD203A,127

Manufacturer

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.58

Part Package Code

TO-220

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

80 W

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

Brand Name

恩智浦半导体

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

80

功率 - 最大

80 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

425 V

最大集电极电流

4 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

11 @ 2A, 5V

最大集极截止电流

100µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 600mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

425 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

850 V

最大耗散功率(Abs)

80 W

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

4

源Url状态检查日期

2013-06-14 00:00:00

辐射硬化

无

无铅

无铅