NXP USA Inc. BZV55-C3V3
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BZV55-C3V3
1786-BZV55-C3V3
二极管 - 齐纳 - 单
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DIODE 3.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
--最小包装量--
BZV55-C3V3详情
NXP USA Inc. BZV55-C3V3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Reference Voltage-Nom
3.3 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV55-C3V3
Power Dissipation (Max)
0.4 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
3.63
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Tin (Sn)
子类别
电压基准二极管
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
5%
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
5 µA
动态阻抗-最大值
95 Ω
BZV55-C3V3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors







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