NXP USA Inc. BZX84-C33
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BZX84-C33
1786-BZX84-C33
二极管 - 齐纳 - 单
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DIODE 33 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode
--最小包装量--
BZX84-C33详情
NXP USA Inc. BZX84-C33重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Voltage Rating (DC)
33 V
RoHS
Compliant
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
33 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZX84-C33
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
BZX84-C33, Zener Diode, 33V u00b15% 0.25 W 0.05u00b5A, 3-Pin TO-236AB
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5
包装
切割胶带
容差
5 %
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
70 pF
额定功率
350 mW
最大功率耗散
250 mW
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
阻抗
80 Ω
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
350 mW
最大反向漏电电流
50 nA
测试电流
2 mA
齐纳电压
33 V
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
TO-236AB
工作测试电流
2 mA
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BZX84-C33拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors







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