NXP USA Inc. BZX84-C4V7
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BZX84-C4V7
1786-BZX84-C4V7
二极管 - 齐纳 - 单
--
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DIODE 4.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode
--最小包装量--
BZX84-C4V7详情
NXP USA Inc. BZX84-C4V7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
Breakdown Voltage / V
4.7 V
Voltage Rating (DC)
4.7 V
RoHS
Compliant
Reference Voltage-Nom
4.7 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZX84-C4V7
Power Dissipation (Max)
0.3 W
Manufacturer
Philips Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
3.85
包装
切割胶带
容差
5 %
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
电容量
260 pF
子类别
电压基准二极管
额定功率
350 mW
最大功率耗散
250 mW
Reach合规守则
unknown
配置
SINGLE
电流
5 mA
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
250 mW
正向电流
10 mA
最大反向漏电电流
3 µA
齐纳电压
4.7 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
5 mA
反向电压
2 V
动态阻抗-最大值
80 Ω
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
高度
1.1 mm
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BZX84-C4V7拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors







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