NXP USA Inc. PDTA114EEAF
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PDTA114EEAF
1786-PDTA114EEAF
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R
1最小包装量--
PDTA114EEAF详情
NXP USA Inc. PDTA114EEAF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
PDTA114
功率 - 最大
150mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
180MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PDTA114EEAF拓展信息
NXP USA Inc.
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