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NXP USA Inc. PDTA114ET
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PDTA114ET
1786-PDTA114ET
分立半导体产品
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大陆
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
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PDTA114ET详情
NXP USA Inc. PDTA114ET重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
PNP
电压
50 V
电流
100 mA
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
转换频率
180 MHz
达到SVHC
无SVHC
PDTA114ET拓展信息
哦! 它是空的。