NXP USA Inc. PDTA143ZEF,115
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PDTA143ZEF,115
1786-PDTA143ZEF,115
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-89, SOT-490
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TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89
1最小包装量--
PDTA143ZEF,115详情
NXP USA Inc. PDTA143ZEF,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
SC-89, SOT-490
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Max.)
150°C
Number of Elements
1
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
已出版
2009
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
基本部件号
PDTA143
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PDTA143ZEF,115拓展信息
NXP USA Inc.
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