NXP USA Inc. PDTA323TK,115
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PDTA323TK,115
1786-PDTA323TK,115
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
1最小包装量--
PDTA323TK,115详情
NXP USA Inc. PDTA323TK,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
附加功能
内置偏置电阻
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
250mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
80mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V
电阻基(R1)
2.2 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PDTA323TK,115拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors








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