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NXP USA Inc. PDTC114TT
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PDTC114TT
1786-PDTC114TT
分立半导体产品
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大陆
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
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PDTC114TT详情
NXP USA Inc. PDTC114TT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
PDTC114TT拓展信息
哦! 它是空的。