NXP USA Inc. PDTC143ZT
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PDTC143ZT
1786-PDTC143ZT
分立半导体产品
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
PDTC143ZT详情
NXP USA Inc. PDTC143ZT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
hFEMin
100
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
NPN
电压
50 V
元素配置
Single
电流
1 A
功率耗散
250 mW
增益带宽积
230 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
转换频率
230 MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
PDTC143ZT拓展信息







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