NXP USA Inc. PHE13003A,412
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PHE13003A,412
1786-PHE13003A,412
分立半导体产品
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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PHE13003A
1最小包装量--
PHE13003A,412详情
NXP USA Inc. PHE13003A,412重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
2.1 W
极性
NPN
功率耗散
2.1 W
功率 - 最大
2.1 W
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400 V
最大集电极电流
1 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 400mA, 5V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 250mA, 750mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
400 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
700 V
发射极基极电压 (VEBO)
9 V
辐射硬化
无
PHE13003A,412拓展信息







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