NXP USA Inc. PMBT3906

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

hFEMin

80

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

PNP

电压

40 V

电流

2 A

功率耗散

250 mW

集电极发射器电压(VCEO)

-40 V

最大集电极电流

-200 mA

集电极基极电压(VCBO)

-40 V

发射极基极电压 (VEBO)

-6 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

环境温度范围高

150 °C

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC