NXP USA Inc. PMGD780SN,115
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PMGD780SN,115
1786-PMGD780SN,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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PMGD780SN Series 60 V 0.92 Ohm 410 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - SOT-363
1最小包装量--
PMGD780SN,115详情
NXP USA Inc. PMGD780SN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
6-TSSOP
RoHS
Lead free / RoHS Compliant
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
Online Catalog
N-Channel Logic Level Gate FETs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
490mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
23pF @ 30V
PCN Design/Specification
Resin Hardener 02/Jul/2013
Gate Charge (Qg) @ Vgs
1.05nC @ 10V
Standard Package
1
包装
Cut Tape (CT)
功率 - 最大
410mW
家人
FETs - Arrays
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
920 mOhm @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250碌A
漏源电压 (Vdss)
60V
场效应管特性
逻辑电平门
PMGD780SN,115拓展信息
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