PMGD780SN,115
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NXP USA Inc. PMGD780SN,115

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型号

PMGD780SN,115

utmel 编号

1786-PMGD780SN,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

PMGD780SN Series 60 V 0.92 Ohm 410 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - SOT-363

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PMGD780SN,115
PMGD780SN,115 NXP USA Inc. PMGD780SN Series 60 V 0.92 Ohm 410 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - SOT-363

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PMGD780SN,115详情

NXP USA Inc. PMGD780SN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    6-TSSOP

  • RoHS

    Lead free / RoHS Compliant

  • PCN Packaging

    Lighter Reels 02/Jan/2014

  • Online Catalog

    N-Channel Logic Level Gate FETs

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    490mA

  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds

    23pF @ 30V

  • PCN Design/Specification

    Resin Hardener 02/Jul/2013

  • Gate Charge (Qg) @ Vgs

    1.05nC @ 10V

  • Standard Package

    1

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 功率 - 最大

    410mW

  • 家人

    FETs - Arrays

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    920 mOhm @ 300mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250碌A

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

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PMGD780SN,115拓展信息

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