NXP USA Inc. PMGD8000LN,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

125mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

200mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

18.5pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.35nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.125A

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.2W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant