NXP USA Inc. PMWD16UN,518
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PMWD16UN,518
1786-PMWD16UN,518
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
1最小包装量--
PMWD16UN,518详情
NXP USA Inc. PMWD16UN,518重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.9A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
3.1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
19mOhm @ 3.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1366pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23.6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMWD16UN,518拓展信息
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