Omron Electronics Inc-EMC Div EE-SJ3-G

工厂交货时间

9 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

操作温度

-25°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

类型

Unamplified

功能数量

1

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

回应时间

4μs, 4μs

上升时间

4μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

4 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.134 (3.4mm)

感测方法

Through-Beam

反向电压(直流电)

4V

暗电流（最大）

200nA

槽宽-Nom

3.4mm

通态集电极电流标称

0.5mA

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅