AFGHL30T65RQDN详情
onsemi AFGHL30T65RQDN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
厂商
onsemi
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
42 A
Test Conditions
400V, 15A, 2.5Ohm, 15V
Base Product Number
AFGHL30
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
230.8 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.57 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Continuous Collector Current at 25 C
42 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
230.8 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.82V @ 15V, 30A
连续集电极电流
42
IGBT类型
场站
闸门收费
37 nC
集极脉冲电流(Icm)
120 A
Td(开/关)@25°C
18ns/68ns
开关能量
340μJ (on), 320μJ (off)
反向恢复时间(trr)
39 ns
产品类别
IGBT晶体管
AFGHL30T65RQDN拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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