ON Semiconductor FGA60N65SMD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 60A, 3 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

104 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

600W

上升时间-最大值

70ns

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

18 ns

功率 - 最大

600W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

120A

反向恢复时间

47 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 60A

IGBT类型

场站

闸门收费

189nC

集极脉冲电流（Icm）

180A

Td（开/关）@25°C

18ns/104ns

开关能量

1.54mJ (on), 450μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

68ns

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅