ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.40101g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.65V

Test Conditions

600V, 25A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

190 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

312W

额定电流

50A

基本部件号

FGA25N120A

元素配置

Single

功率耗散

312mW

输入类型

Standard

接通延迟时间

50 ns

上升时间

60ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

350 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.65V @ 15V, 50A

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

50A

IGBT类型

NPT和沟槽

闸门收费

200nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

50ns/190ns

开关能量

4.1mJ (on), 960μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

高度

23.8mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅