AFGHL40T120RLD详情
onsemi AFGHL40T120RLD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
厂商
onsemi
Package
Tube
Product Status
不用于新设计
Current-Collector (Ic) (Max)
48 A
Test Conditions
600V, 40A, 5Ohm, 15V
Base Product Number
AFGHL40
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
529 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Continuous Collector Current at 25 C
48 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
529 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 40A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
395 nC
集极脉冲电流(Icm)
160 A
Td(开/关)@25°C
48ns/208ns
开关能量
3.4mJ (on), 1.2mJ (off)
反向恢复时间(trr)
195 ns
产品类别
IGBT晶体管
AFGHL40T120RLD拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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