AFGHL40T65SQD详情
onsemi AFGHL40T65SQD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
厂商
onsemi
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
80 A
Test Conditions
400V, 20A, 6Ohm, 15V
Base Product Number
AFGHL40
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6
Maximum Gate Emitter Voltage
±30.0V
Package Type
TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Pd - Power Dissipation
238 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
子类别
IGBTs
技术
Si
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
238
输入类型
Standard
功率 - 最大
238 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
信道型
N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 40A
连续集电极电流
80
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
68 nC
集极脉冲电流(Icm)
160 A
Td(开/关)@25°C
15ns/70ns
开关能量
250μJ (on), 90μJ (off)
反向恢复时间(trr)
28 ns
产品类别
IGBT晶体管
AFGHL40T65SQD拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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