AFGHL40T65SQD
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onsemi AFGHL40T65SQD

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型号

AFGHL40T65SQD

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-AFGHL40T65SQD

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE

起订量

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AFGHL40T65SQD
AFGHL40T65SQD onsemi AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE

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AFGHL40T65SQD详情

onsemi AFGHL40T65SQD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商器件包装

    TO-247-3

  • 厂商

    onsemi

  • Package

    Tube

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    80 A

  • Test Conditions

    400V, 20A, 6Ohm, 15V

  • Base Product Number

    AFGHL40

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    ±30.0V

  • Package Type

    TO-247

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    650 V

  • Pd - Power Dissipation

    238 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    30

  • Continuous Collector Current at 25 C

    80 A

  • Mounting Styles

    通孔

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    650 V

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 子类别

    IGBTs

  • 技术

    Si

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    238

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    238 W

  • 产品类别

    IGBT晶体管

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    650 V

  • 信道型

    N

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 40A

  • 连续集电极电流

    80

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    68 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    160 A

  • Td(开/关)@25°C

    15ns/70ns

  • 开关能量

    250μJ (on), 90μJ (off)

  • 反向恢复时间(trr)

    28 ns

  • 产品类别

    IGBT晶体管

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AFGHL40T65SQD拓展信息

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HGTP5N120BND
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