AFGY100T65SPD详情
onsemi AFGY100T65SPD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
厂商
onsemi
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
120 A
Test Conditions
400V, 100A, 5Ohm, 15V
Base Product Number
AFGY100
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Pd - Power Dissipation
660 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Continuous Collector Current at 25 C
120 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
子类别
IGBTs
技术
Si
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
660W
输入类型
Standard
功率 - 最大
660 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
信道型
N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.05V @ 15V, 100A
连续集电极电流
100A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
109 nC
集极脉冲电流(Icm)
300 A
Td(开/关)@25°C
36ns/78ns
开关能量
5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
反向恢复时间(trr)
105 ns
产品类别
IGBT晶体管
AFGY100T65SPD拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。