MGW14N60ED
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onsemi MGW14N60ED

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型号

MGW14N60ED

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-MGW14N60ED

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT, 18A, 600V, N-CHANNEL

起订量

1最小包装量--

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MGW14N60ED
MGW14N60ED onsemi IGBT, 18A, 600V, N-CHANNEL

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MGW14N60ED详情

onsemi MGW14N60ED重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Product Status

    活跃

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    62 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    418 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Manufacturer Part Number

    MGW14N60ED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.72

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 晶体管应用

    通用开关

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247AE

  • 集电极电流-最大值(IC)

    18 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

技术文档: onsemi MGW14N60ED.

MGW14N60ED拓展信息

HGTG30N60A4D
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ON Semiconductor

FGH40N60UFDTU
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FGH40N60SMD
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HGTG5N120BND
HGTG5N120BND

ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109

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HGTG20N60B3D
HGTG20N60B3D

ON Semiconductor

HGTG12N60A4D
HGTG12N60A4D

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FGA25N120ANTDTU
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ON Semiconductor

HGTG20N60A4D
HGTG20N60A4D

ON Semiconductor

HGTP5N120BND
HGTP5N120BND

ON Semiconductor

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