onsemi NSVMUN2132T1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SC-59

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

onsemi

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Transistor Polarity

PNP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318D-04

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

NSVMUN2132T1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.75

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

338

功率 - 最大

230 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

最大耗散功率(Abs)

0.338 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

15

电阻基(R1)

4.7 kOhms

连续集电极电流

100

电阻-发射极基极(R2)

4.7 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.25 V