onsemi NSVUMZ1NT1G

工厂交货时间

43 Weeks, 1 Day

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SC-88/SC70-6/SOT-363

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

厂商

onsemi

Package

Bulk

Product Status

活跃

Transistor Polarity

Complementary

Base Product Number

NSVUMZ1

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

Package Description

SC-88, SC-70, SOT-363, 6 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

419B-02

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

114 MHz

Manufacturer Part Number

NSVUMZ1NT1G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.73

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

Brand Name

安森美半导体

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

NPN, PNP Complementary

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

最大集极截止电流

2µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

114MHz, 142MHz

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.25 V

产品类别

onsemi