ON Semiconductor 1N485BTR

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

引脚数

2

质量

80g

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.10.00.70

电压 - 额定直流

200V

终端形式

WIRE

额定电流

200mA

基本部件号

1N485

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

25nA @ 175V

功率耗散

500mW

输出电流

200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1V @ 100mA

箱体转运

ISOLATED

正向电流

200mA

工作温度 - 结点

175°C Max

最大浪涌电流

4A

正向电压

1V

最大反向电压（DC）

200V

平均整流电流

200mA

峰值反向电流

25nA

最大重复反向电压(Vrrm)

200V

峰值非恢复性浪涌电流

4A

反向电压

200V

直径

1.91mm

高度

4.56mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅