ON Semiconductor 1N5230B

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35

质量

80g

Breakdown Voltage / V

4.7V

操作温度

-65°C~200°C

包装

Bulk

已出版

2016

容差

±5%

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

额定功率

500mW

电压 - 额定直流

4.7V

最大功率耗散

500mW

基本部件号

1N5230

工作电压

4.7V

阻抗

19Ohm

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 1V

功率耗散

500mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200mA

功率 - 最大

500mW

最大反向漏电电流

2μA

阻抗-最大

19Ohms

测试电流

20mA

正向电压

1.2V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

4.7V

齐纳电压

4.7V

峰值反向电流

2μA

电压允差

5%

ESD保护

无

齐纳电流

20mA

高度

2mm

长度

4.2mm

宽度

2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅