注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.151315
10
¥0.14275
100
¥0.13467
500
¥0.127047
1000
¥0.119855
ON Semiconductor 1N5230BTR
- 收藏
- 对比
1N5230BTR
1807-1N5230BTR
二极管 - 齐纳 - 单
DO-204AH, DO-35, Axial
大陆
立即发货

ON SEMICONDUCTOR - 1N5230BTR - Zener Single Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pins, 200 °C
--最小包装量--
¥
总价: ¥
1N5230BTR详情
ON Semiconductor 1N5230BTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
引脚数
2
质量
80g
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~200°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
500mW
电压 - 额定直流
4.7V
最大功率耗散
500mW
终端形式
WIRE
基本部件号
1N5230
工作电压
4.7V
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
19Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
2μA @ 1V
功率耗散
500mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 200mA
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
2μA
阻抗-最大
19Ohm
测试电流
20mA
参考电压
4.7V
正向电压
1.2V
齐纳电压
4.7V
最大电压允差
5%
峰值反向电流
2μA
电压允差
5%
齐纳电流
20mA
直径
1.91mm
高度
6.35mm
长度
4.56mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
1N5230BTR拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。