ON Semiconductor 2N3055H

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

2

供应商器件包装

TO-204 (TO-3)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

Current-Collector (Ic) (Max)

15A

hFEMin

20

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

115W

额定电流

15A

基本部件号

2N3055

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

115W

功率 - 最大

115W

增益带宽积

2.5MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3.3A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

2.5MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅