ON Semiconductor 2N3055HG

生命周期状态

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包装/外壳

TO-204AA, TO-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

20

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

已出版

2004

包装

Tray

操作温度

-65°C~200°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

115W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N3055

引脚数量

2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

2.5MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3.3A, 10A

转换频率

2.5MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅