ON Semiconductor 2N3417

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

hFEMin

180

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1998

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

625mW

额定电流

500mA

基本部件号

2N3417

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 2mA 4.5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 3mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅