ON Semiconductor 2N3439

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

RoHS

Non-Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N3439

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

5.05

Part Package Code

BCY

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

1 A

JEDEC-95代码

TO-205AD

最高频率

15 MHz

集电极基极电压(VCBO)

450 V

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

350 V

宽度

9.4 mm

高度

6.6 mm

长度

9.4 mm