ON Semiconductor 2N3703

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

基本部件号

2N3703

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

625mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极-基极电容-最大值

12pF