ON Semiconductor 2N3820

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Breakdown Voltage / V

20V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

350mW

额定电流

15mA

基本部件号

2N3820

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

32pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

-10V

连续放电电流(ID)

7.65mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

20V

输入电容

32pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

300μA @ 10V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

8V @ 10μA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

20V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅