ON Semiconductor MMBFJ113
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MMBFJ113
1807-MMBFJ113
晶体管 - JFET
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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JFET N-CH 35V 350MW SOT23
--最小包装量--
MMBFJ113详情
ON Semiconductor MMBFJ113重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
工厂交货时间
42 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
-35V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
35V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
2mA
基本部件号
MBFJ113
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
350mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
35V
连续放电电流(ID)
2mA
栅极至源极电压(Vgs)
-35V
场效应管技术
JUNCTION
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
100Ohm
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
2mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
500mV @ 1μA
电阻-RDS(On)
100Ohm
高度
1.2mm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBFJ113拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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