ON Semiconductor 2N3904NLBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

质量

178.2mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

额定电流

200mA

基本部件号

2N3904

元素配置

Single

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅