ON Semiconductor 2N4923

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-225AA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

hFEMin

40

已出版

1995

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

30W

额定电流

1A

基本部件号

2N4923

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

30W

功率 - 最大

30W

增益带宽积

3MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

最高频率

3MHz

最大击穿电压

350V

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

2.66mm

高度

11.04mm

长度

7.74mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅