ON Semiconductor 2N5087BU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

150

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

625mW

额定电流

-100mA

频率

40MHz

基本部件号

2N5087

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

40MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100μA 5V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-3V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅