ON Semiconductor 2N5458

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

25V

Number of Elements

1

操作温度

135°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N5458

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

625mW

功率 - 最大

310mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7pF @ 15V

连续放电电流(ID)

9mA

栅极至源极电压(Vgs)

3.5V

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

JUNCTION

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

1V @ 10nA

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅