ON Semiconductor 2N5458G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Breakdown Voltage / V

-25V

已出版

2006

包装

Bulk

操作温度

135°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

310mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

10mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N5458

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

625mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7pF @ 15V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

JUNCTION

漏源电阻

2mOhm

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

1V @ 10nA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅