ON Semiconductor 2N5551RLRMG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N5551

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅