ON Semiconductor 2N5551TAR

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

178.2mg

Number of Elements

1

hFEMin

80

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

625mW

额定电流

600mA

频率

300MHz

基本部件号

2N5551

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅