ON Semiconductor 2N5551YTA

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件包装

TO-92-3

Supplier Package

TO-92

Standard Package Name

TO-92

PCB changed

3

Package Length

5.2(Max)

Package Width

4.19(Max)

Package Height

5.33(Max)

Mounting

通孔

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Power Dissipation (mW)

625

Minimum DC Current Gain

180@10mA@5V

Maximum DC Collector Current (A)

0.6

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1@1mA@10mA|1@5mA@50mA

Maximum Emitter Base Voltage (V)

6

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

160

Maximum Collector Base Voltage (V)

180

Number of Elements per Chip

1

Category

双极小信号

PPAP

无

Automotive

无

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Formed

Package

Tape & Box (TB)

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N5551

厂商

onsemi

Product Status

活跃

包装

Ammo

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

零件状态

Obsolete

类型

NPN

引脚数量

3

配置

Single

功率 - 最大

625 mW

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

160 V

频率转换

100MHz