ON Semiconductor 2N5883

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

hFEMin

35

Voltage Rating (DC)

-60 V

RoHS

Non-Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 W

额定电流

-25 A

极性

PNP

元素配置

Single

增益带宽积

4 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

25 A

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

无铅

含铅