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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 2N5950
2N5950
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ON Semiconductor 2N5950

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型号

2N5950

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N5950

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET N-CH 30V 15MA TO92

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2N5950
2N5950 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 15MA TO92

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2N5950详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2N5950重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • 质量

    200mg

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    6V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 额定电流

    15mA

  • 基本部件号

    2N5950

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    350mW

  • 漏源电压 (Vdss)

    15V

  • 晶体管类型

    N-Channel JFET

  • 连续放电电流(ID)

    15mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 高度

    5.33mm

  • 长度

    5.2mm

  • 宽度

    4.19mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2N5950.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 2N5950相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Element Configuration
    查看对比:
  • 2N5950

    2N5950

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    15 V

    15 mA

    350 mW

    350 mW

    30 V

    Single

  • J175
    J175

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    30 V

    -25 mA

    350 mW

    350 mW

    30 V

    Single

    2N5950
    VS
    J175
  • J176
    J176

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    30 V

    -60 mA

    350 mW

    350 mW

    30 V

    Single

    2N5950
    VS
    J176

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公司资质

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选择时请仔细核对商品参数信息

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